IRFH5210TRPBF

1.Menys pèrdues de conducció
2.Permet una millor dissipació tèrmica
3. Augment de la fiabilitat
4. Augment de la densitat de potència
5.Compatibilitat amb diversos proveïdors
6. Fabricació més fàcil
7.Més respectuós amb el medi ambient
8. Augment de la fiabilitat

Número de peça del fabricant: IRFH9310TRPBF
Fabricant/MarcaInternational Rectifier (Infineon Technologies)
Part de la descripció:MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
Estat sense plom / estat RoHS: sense plom / conforme a RoHS
Estat d'estoc: original nou, estoc disponible de 12000 unitats.
Enviament des de: Hong Kong
Forma d'enviament: DHL/Fedex/TNT/UPS
Atribut del producte Valor de l'atribut Seleccioneu l'atribut
Número de peça IRFH9310TRPBF
Fabricant/Marca International Rectifier (Infineon Technologies)
Quantitat d'estoc 12000 unitats Stock
Categoria Productes semiconductors discrets > Transistors - FET, MOSFET - únic
Descripció MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
Estat sense plom / Estat RoHS: sense plom / conforme a RoHS
Amplada - Interior -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tensió/Corrent - Sortida 1 PQFN (5x6)
Tolerància 5250pF @ 15V
Tipus de cua Canal P
Angle de pas MOSFET (òxid metàl·lic)
Reducció de temperatura Infineon Technologies
Tipus SFP/XFP ±20V
Capacitat remota HEXFET®
Pitch - Muntatge superficial del cable
Altres noms Sense plom / Conforme a RoHS
Altres noms 1
Oscil·lador tipus 8-PowerVDFN
Nombre de DAC de 30 V
Gravetat específica líquida mínima -
Orientació d'aparellament 4,6 mOhm @ 21A, 10V
Número de peça del fabricant IRFH9310TRPBFDKR-ND
Longitud - Barril Digi-Reel®
Color del llum 4,5 V, 10 V
Tensió lateral alta: màxim (Bootstrap) 21 A (Ta), 40 A (Tc)
Funció 58nC @ 4,5V
Potència de la bobina activa
Capacitat del canal (CS (apagat), CD (apagat)) 3,1 W (Ta)
Tipus de lector de targetes 2,4 V @ 100 µA
Característiques i avantatges
Característiques Beneficis resultants
Baix RDSon (≤ 4,6 mΩ) Menys pèrdues de conducció
Paquet PQFN estàndard de la indústria Compatibilitat amb diversos proveïdors
Compleix amb RoHS, sense plom, sense bromur i sense halògens, respectuós amb el medi ambient
resultats en
Nota
Quantitat del formulari
IRFH9310TRPBF PQFN Cinta i bobina de 5 mm x 6 mm 4000
Número de peça que es pot demanar Tipus de paquet Paquet estàndard
VDS -30 V
RDS(activat) màx
(@VGS = 10V) 4,6 mΩ
Qg (típic) 110 nC
RG (típic) 2,8 Ω
ID
(@TA = 25 °C) -21 A
Valoracions màximes absolutes
Unitats de paràmetre
Tensió de drenatge a font VDS
Tensió de porta a font VGS
ID @ TA = 25 °C Corrent de drenatge continu, VGS @ -10V
ID @ TA = 70 °C Corrent de drenatge continu, VGS @ -10V
ID @ TC = 25 °C Corrent de drenatge continu, VGS @ -10 V (Silicon Limited)
ID @ TC = 70 °C Corrent de drenatge continu, VGS @ -10 V (Silicon Limited)
ID @ TC = 25 °C Corrent de drenatge continu, VGS @ -10 V (paquet limitat)
Corrent de drenatge polsat IDM
PD @TA = 25 °C dissipació de potència
PD @ TA = 70°C dissipació de potència
Factor de reducció lineal W/°C
Unió operativa TJ i
Interval de temperatura d'emmagatzematge TSTG
Valoració repetitiva;amplada de pols limitada per màx.temperatura de la unió.
Inici TJ = 25 °C, L = 1,1 mH, RG = 50Ω, IAS = -17A.
Amplada del pols ≤ 400µs;cicle de treball ≤ 2%.
Quan es munta en un tauler de coure quadrat d'1 polzada.
Rθ es mesura a TJ d'aproximadament 90 °C.
NOMÉS PER A AJUDA AL DISSENY, no subjecte a proves de producció.